Search
Вклад теплового расширения решетки в температурные изменения ширины запрещенной зоны полупроводника CuGa5Se8
View/
Date
2012Publisher
БрГТУUDC
536.3:539.21-17Citation
Кушнер, Т. Л. Вклад теплового расширения решетки в температурные изменения ширины запрещенной зоны полупроводника CuGa5Se8 / Т. Л. Кушнер, С. В. Чугунов // Вестник БрГТУ. Серия : Физика, математика, информатика. – 2012. – № 5. – С. 48–51.Abstract
Зависимости ширины запрещенной зоны от температуры для
монокристаллов CuGa5Se8 были проанализированы с помощью
модели, которая учитывает как электрон-фононное взаимодействие,
так и тепловое расширение кристаллической решетки. Обнаружено,
что на температурные изменения ширины запрещенной зоны влияют в основном оптические фононы с эффективной энергией равной
приблизительно 16 мэВ. Из значений параметра Θ была рассчитана
температура Дебая, значение которой хорошо согласуется с данными, полученными ранее из температурных рентгеновских измерений.
Annotation in another language
The temperature dependence of the optical band gap Eg in bulk crystals CuGa5Se8 has been analyzed by separately considering the contributions due
to electron-phonon interaction and thermal expansion. It is found that the variation of the optical band gap with temperature is mainly due to the contribution
of optical phonons with a characteristic phonon energy of about 16 meV. The Debye temperature is defined by parameters Θ obtained from the
theoretical fit. The value is in good agreement with reported for the compound CuGa5Se8 earlier and obtained from the x-ray powder diffraction measurements
at various temperatures.
Collection
- 2012 [20]
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.