Поиск по всему репозиторию:
Моделирование флуктуаций плотности тока в субмикронном кремниевом диоде
Библиографическое описание
Борздов, А. В. Моделирование флуктуаций плотности тока в субмикронном кремниевом диоде = Simulation of current density fluctuations in submicron silicon diode / А. В. Борздов, В. М. Борздов, В. В. Буслюк. – Текст : непосредственный // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо 2015) = Microwave & telecommunication technology (CriMiCo 2015) : материалы 25-й Международной Крымской конференции, Севастополь, 6–12 сентября 2015 г. : в 2 т. / Оргкомитет КрыМиКо’2015, Крымский научно-технологический центр им. А. С. Попова. – Севастополь, 2015. – Т. 1. – ISBN 978-1-4673-9414-7. – C. 123–124. – Библиография: 7 назв.Аннотация
Проведено моделирование многочастичным методом Монте-Карло флуктуаций плотности тока в субмикронном кремниевом диоде со структурой n+-n-n+. Изучено влияние процесса ударной ионизации на шумовые характеристики прибора.
Аннотация на другом языке
Ensemble Monte Carlo simulation of current density fluctuations in submicron silicon diode with n+-n-n+ structure has been performed. The influence of impact ionization process on the noise characteristics of the device has been studied.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/49850Документ расположен в коллекции
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.