dc.contributor.author | Гурский, Александр Леонидович | |
dc.contributor.author | Луценко, Евгений Викторович | |
dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
dc.contributor.author | Яблонский, Геннадий Петрович | |
dc.contributor.author | Таудт, В. | |
dc.contributor.author | Золльнер, Й. | |
dc.contributor.author | Хойкен, М. | |
dc.coverage.spatial | Брест | |
dc.date.accessioned | 2021-06-14T06:58:28Z | |
dc.date.available | 2021-06-14T06:58:28Z | |
dc.date.issued | 1996 | |
dc.identifier.citation | Краевое излучение эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных методом movpe / А. Л. Гурский [и др.] // Материалы научно-технической конференции, посвященной 30-летию института : [тезисы докладов] : в 3 частях / Министерство образования и науки Республики Беларусь, Брестский политехнический институт ; редкол.: П. П. Строкач (гл. ред.) [и др.]. – Брест : БПИ, 1996. – Часть 2. – С. 17–18. | |
dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/19378 | |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БПИ | |
dc.title | Краевое излучение эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных методом movpe | ru |
dc.type | Тезисы доклада (Abstracts) | |