Поиск по всему репозиторию:

Показать краткое описание

dc.contributor.authorФилонович, С. А.
dc.contributor.authorРибейро, М.
dc.contributor.authorАлпуим, П.
dc.coverage.spatialБрест
dc.date.accessioned2021-03-29T09:23:22Z
dc.date.available2021-03-29T09:23:22Z
dc.date.issued2006
dc.identifier.citationФилонович, С. А. Свойства легированных пленок нанокристаллического кремния, выращенных на пластиковых подложках методом газофазного химического осаждения / С. А. Филонович, М. Рибейро, П. Алпуим // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2006. – № 5. – С. 87–89.
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/12698
dc.description.abstractВ данной работе изложен метод легирования тонких пленок нанокристаллического кремния фосфором и бором с помощью газофазного осаждения кремния, полученного разложением силана на горячей проволоке. В качестве подложки использовались гибкие пластиковые материалы (полиэтилен нафталата и полиамид) и стекло, а температура осаждения не превышала 150 ?C. Изучалось влияние концентрации водорода и легирующих газов, а также толщины пленок на структурные и электрические свойства кремниевых пленок. Значение темновой проводимости p- и n- легированных пленок (?d = 2.8 (Ом*см)-1 и 4.7 (Ом*см)-1, соответственно) выращенных на пластиковых подложках, выше, чем в аналогичных пленках на стеклянной подложке. Кристаллические свойства, энергия активации и темновая проводимость очень тонких пленок (~10-40 нм) p- и n-типа, выращенных при условиях, обеспечивающих рост нанокристаллических пленок с толщиной ? 50 нм, имеют значения, типичные для легированного аморфного кремния.
dc.language.isoru
dc.publisherБрГТУ
dc.titleСвойства легированных пленок нанокристаллического кремния, выращенных на пластиковых подложках методом газофазного химического осаждения
dc.typeСтатья (Article)
dc.identifier.udc535.337


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать краткое описание