Поиск по всему репозиторию:

    • Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN 

      Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2017)
      Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN. Проведено сравнение вольтамперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.

      2019-06-19