Стохастическое моделирование микрорельефа тонкопленочной структуры металл-кремний

Abstract

Показана возможность построения и применения в микроэлектронике нового класса стохастических моделей технологических процессов, имитирующих поведение отдельных частиц материала (атомов, молекул, кластеров) при нанесении (удалении, модификации) функциональных слоев тонкопленочных элементов интегральных схем. Разработаны основные положения, позволяющие описывать стохастический поток частиц материала при распылении мишени, а также условия, определяющие поведение частиц при попадании их на подложку. Разработана прикладная моделирующая программа, с помощью которой проведены вычислительные эксперименты. Полученные результаты позволили обнаружить, что формирующаяся металлическая пленка имеет нерегулярный и зависящий от ее толщины микрорельеф. Морфология образующейся микроструктуры описана с точки зрения фрактальных представлений. Адекватность модели подтверждена сопоставлением расчетных результатов с фотографиями реальной микроструктуры.