Поиск по всему репозиторию:

    • Влияние контактных сопротивлений на вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN 

      Тарасюк, Николай Петрович; Ворсин, Николай Николаевич; Гладыщук, Анатолий Антонович; Луценко, Евгений Викторович (БрГТУ, 2018)
      Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN с учетом контактных сопротивлений. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.

      2019-06-26

    • Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN 

      Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2017)
      Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN. Проведено сравнение вольтамперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.

      2019-06-19

    • Фактор оптического ограничения гетероструктур ZnMgCdSSe с варизонным волноводом для оптически накачиваемых лазеров 

      Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2012)
      Представлены результаты расчетов фактора оптического ограничения для гетероструктур ZnMgCdSSe. Для увеличения эффективности транспорта неравновесных носителей заряда в активную область предложен дизайн гетероструктур с варизонным волноводом. Проведено сравнение фактора оптического ограничения, удельного ...

      2019-08-29