Поиск по всему репозиторию:

Показать краткое описание

dc.contributorБрестский государственный технический университетru_RU
dc.contributorBrest State Technical Universityru_RU
dc.contributor.authorКушнер, Татьяна Леонидовна
dc.contributor.authorЧугунов, Сергей Владимирович
dc.coverage.spatialБрестru_RU
dc.date.accessioned2019-09-03T08:45:17Z
dc.date.available2019-09-03T08:45:17Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.citationКушнер, Т. Л. Влияние теплового расширения кристаллической решетки на ширину запрещенной зоны полупроводников CUIN₃SE₅ и CUGA₃SE₅ / Т. Л. Кушнер, С. В. Чугунов // Вестник БрГТУ. Серия : Физика, математика, информатика. – 2011. – № 5. – C. 99–102.ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/1120
dc.descriptionKUSCHNER T.L., СHUGUNOV S.V. Contributions of thermal expansion on the temperature dependence of the optical band gap in bulk crystals CuIn3Se5 and CuGa3Se5ru_RU
dc.description.abstractЗависимости ширины запрещенной зоны от температуры для полупроводников Culn₃Se₅ и CuGa₃Se₅ были проанализированы с помощью модели, которая учитывает как электрон-фононное взаимодействие, так и тепловое расширение кристаллической решетки. В отличие от предыдущих исследований, где использовалась простая степенная функция, был принят во внимание вклад теплового расширения решетки в температурные изменения ширины запрещенной зоны указанных соединений. Путем фиттинга был определен параметр 0, связанный с основной частотой фононов, которые влияют на «сужение» запрещенной зоны.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБрГТУru_RU
dc.relation.ispartofseriesФизика, математика, информатика;
dc.subjectтермодинамикаru_RU
dc.subjectстатистическая физикаru_RU
dc.subjectвзаимодействие телru_RU
dc.subjectтепловое излучениеru_RU
dc.subjectсвойства твердого телаru_RU
dc.subjectмолекулярные системыru_RU
dc.subjectthermodynamicsru_RU
dc.subjectstatistical physicsru_RU
dc.subjectbody interactionru_RU
dc.subjectthermal radiationru_RU
dc.subjectsolid propertiesru_RU
dc.subjectmolecular systemsru_RU
dc.titleВлияние теплового расширения кристаллической решетки на ширину запрещенной зоны полупроводников CUIN₃SE₅ и CUGA₃SE₅ru_RU
dc.typeСтатья (Article)ru_RU
dc.identifier.udc536.3:539.21-17ru_RU
dc.abstract.alternativeThe temperature dependence of the optical band gap Eg in bulk crystals CuIn3Se5 and CuGa3Se5 has been analyzed by separately considering the contributions due to electron-phonon interaction and thermal expansion. For the former contributions, we use an expression related to the mean frequency of phonons, defined by temperature Q , that participate in the shift of the fundamental energy gap with temperature. For the latter, a term that explicitly takes into account the temperature variation of the thermal expansion coefficient and the pressure dependence of the band gap is employed.ru_RU


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать краткое описание