| dc.contributor.author | Кузавко, Ю. А. | |
| dc.coverage.spatial | Брест | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-05T09:26:07Z | |
| dc.date.available | 2021-03-05T09:26:07Z | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.identifier.citation | Кузавко, Ю. А. Процессы декогерентизации состояний в полупроводниковых и молекулярных логических наноэлементах для квантового компьютера / Ю. А. Кузавко // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2007. – № 5. – С. 78–82. | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/10978 | |
| dc.description | KUZAVKO J.A. Processes decogerentitation of condition in semi-conductor and molecular logic nanoelements for the quantum computer | |
| dc.description.abstract | Объединение легкости управления зарядом в полупроводниковых приборах с возможностью использования спиновой степени свободы для хранения и передачи информации является весьма актуальной в связи с необходимостью обработки стремительно возрастающих в настоящее время потоков информации. Возможно, однако, что модель Датты-Даса спинового транзистора исчерпала возможности для своей экспериментальной реализации. Вследствие этого целесообразно рассмотреть альтернативные теоретические модели спинтронных и поляризационных устройств, в частности, с использованием появившихся в конце 1990-х годов новых материалов – магнитоуправляемых ферромагнитных сплавов Гейслера Ni2+x+yMn1-xGa1-y с эффектом памяти формы. Ожидается, что ферромагнетики на основе Ni-Mn-Ga в силу возникновения в них гигантских (до 10%) магнитодеформаций в области фазовых превращений окажутся весьма полезными при создании спин-поляризационных устройств. Приведены оценки времен декогерентизации состояний в полупроводниковых и молекулярных логических наноэлементах, в пределах которых сохраняются вычисления в квантовой форме их реализации. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | БрГТУ | |
| dc.title | Процессы декогерентизации состояний в полупроводниковых и молекулярных логических наноэлементах для квантового компьютера | |
| dc.type | Статья (Article) | |
| dc.identifier.udc | 621.9 | |
| dc.abstract.alternative | The association of ease of management of a charge in semi-conductor devices with an opportunity of use of a spin degree of freedom for a storage and transfer of the information is rather urgent in connection with necessity of processing of promptly growing now flows of the information. Probably, however, that the model Datty-Dasa of the spin transistor has exhausted(settled) opportunities for the experimental realization. Thereof it is expedient to consider alternative theoretical models spintron and polarizing devices, in particular, with use of the new materials, which have appeared at the end of 1990 years, - magnet controlled ferro of magnetic alloys Gejsler Ni2+x+yMn1-xGa1-y with effect of memory of the form. It is expected, that ferro a magnet on a basis Ni-Mn-Ga by virtue of occurrence in them huge (up to 10 %) magnet of deformations in the field of phase transformations will appear rather useful at creation of back - polarizing devices. The estimations of times decogerentitation of condition in semi-conductor and molecular logic nanoelements are given, within the limits of which the calculations in the quantum form of their realization are saved. | |
