Поиск по всему репозиторию:

    • Computer Modeling the Excitonic Reflection and Photoluminescence Spectra of GaN Epitaxial Layers 

      Rakovich, Y.; Tarasjuk, N. P.; Gladyshchuk, A. A.; Lucenko, E. V.; Yablonskii, G. P.; Heuken, M.; Heime, K. (BPI, 1999)
      Photoluminescence (PL) and reflection excitonic spectra o f GaN single layer grown on sapphire substrate by MOVPE were modeled with aim to estimate a basie parameters o f free A- and B- excitons. The calculations were performed in the frame o f two-oscillator model for dielectric function e(E). Three ...

      2021-07-27

    • Светоизлучающие структуры и лазеры на основе GaN 

      Луценко, Евгений Викторович; Павловский, В. Н.; Зубелевич, В. З.; Яблонский, Геннадий Петрович; Мудрый, А. В.; Стогний, А. И.; Гладыщук, Анатолий Антонович; Мамакин, С. С.; Юнович, А. Э.; Protzmann, H.; Schineller, B.; Heuken, M. (БрГТУ, 2001)
      В данной работе обобщены исследования по генерации гетероструктур эпитаксикальных слоев и диодов на основе GaN. В настоящее время в мире проводится интенсивное изучение светоизлучающих структур и лазеров на основе GaN с целью разработки полупроводниковых источников излучения в синей области спектра. ...

      2020-06-19