| dc.contributor | Брестский государственный технический университет | ru_RU |
| dc.contributor | Brest State Technical University | ru_RU |
| dc.contributor.author | Кушнер, Татьяна Леонидовна | |
| dc.contributor.author | Янусик, Ирина Семеновна | |
| dc.coverage.spatial | Брест | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2020-09-02T12:18:16Z | |
| dc.date.available | 2020-09-02T12:18:16Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.identifier.citation | Кушнер, Т. Л. Фотоплеохроизм в гетероструктурах на основе CuIn₃Se₅ / Т. Л. Кушнер, И. С. Янусик // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2009. – № 5. – С. 113–115 : ил. – Библиогр.: с. 115 (7 назв.). | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/7199 | |
| dc.description | KUSCHNER T. L., YANUSIK I. S. Fotopleohroism in surface-barrier structures based on CuIn₃Se₅ | ru_RU |
| dc.description.abstract | На монокристаллах тройных соединений CuIn₃Se₅ созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры n–ZnO:Al/p–CuIn₃Se₅. Проведены исследования фотоплеохроизма в гетеропереходах n–ZnO:Al/p-CuIn₃Se₅, которые позволили установить, что поляризационная фоточувствительность возникает только в условиях наклонного падения излучения на фотоприемную плоскость n– ZnO:Al. Необходимо создание многослойных интерференционных покрытий, что позволит применять устройства на базе гетеропереходов n–ZnO:Al/p–CuIn₃Se₅ в качестве селективных преобразователей естественного и линейно поляризованного излучений. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГТУ | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика, математика, информатика; | |
| dc.subject | полупроводники | ru_RU |
| dc.subject | semiconductors | ru_RU |
| dc.title | Фотоплеохроизм в гетероструктурах на основе CuIn₃Se₅ | ru_RU |
| dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 621.315.592 | ru_RU |
| dc.abstract.alternative | The aims of the work are creation of surface-barrier structures n–GaSe/р–CuIn₃Se₅ on the basis of single crystals CuIn₃Se₅. Their photoelectric properties are investigated. Grown CuIn₃Se₅ crystals are used in the Institute of Physics of Solids and Semiconductors National Academy of Sciences of Belarus as targets for thin-film structures preparation and structures n–GaSe/р–CuIn₃Se₅ are used in the Ioffe Physicotechnical Institute of Russian Academy of Sciences for creation of selective phototransformers for natural radiation. | ru_RU |
