Автоканалирование света в полупроводниках с кубической и пятого порядка нелинейностями

Abstract

Анализируются пороговые, энергетические и пространственные характеристики эффекта автоканалирования света в зависимости от величин оптических нелинейностей третьего и пятого порядка в гексагональных и кубических полупроводниках, рассмотрены условия оптимального автоканалирования. Показано, что высокие значения нелинейностей в области края поглощения кристалла при, их совместном действии существенно понижают порог эффекта в соответствии с теорией. Этот факт, а также совпадение пространственной зависимости эффекта с аналогичной зависимостью для ряда других нелинейных явлений обеспечивают устойчивость процесса в условиях разряда. Промоделированы процессы самовоздействия в рамках самосогласованной задачи и определены условия оптимального автоканалирования, соответствующие; характеристикам стримера. Волноводный режим обуславливает неразрушаюший характер разрядов. Система направлений стримерных разрядов в прямозонных полупроводниках отражает процесс взаимодействия сильного электрического поля с кристаллом согласно принципу суперпозиции, дисимметрий.