| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | |
| dc.contributor.author | Буслюк, Виктор Вячеславович | |
| dc.coverage.spatial | Севастополь | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2025-10-14T08:53:23Z | |
| dc.date.available | 2025-10-14T08:53:23Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.identifier.citation | Борздов, А. В. Моделирование флуктуаций плотности тока в субмикронном кремниевом диоде = Simulation of current density fluctuations in submicron silicon diode / А. В. Борздов, В. М. Борздов, В. В. Буслюк. – Текст : непосредственный // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо 2015) = Microwave & telecommunication technology (CriMiCo 2015) : материалы 25-й Международной Крымской конференции, Севастополь, 6–12 сентября 2015 г. : в 2 т. / Оргкомитет КрыМиКо’2015, Крымский научно-технологический центр им. А. С. Попова. – Севастополь, 2015. – Т. 1. – ISBN 978-1-4673-9414-7. – C. 123–124. – Библиография: 7 назв. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/49850 | |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование многочастичным методом Монте-Карло флуктуаций плотности тока в субмикронном кремниевом диоде со структурой n+-n-n+. Изучено влияние процесса ударной ионизации на шумовые характеристики прибора. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.title | Моделирование флуктуаций плотности тока в субмикронном кремниевом диоде | ru_RU |
| dc.title.alternative | Simulation of current density fluctuations in submicron silicon diode | ru_RU |
| dc.type | Научный доклад (Working Paper) | ru_RU |
| dc.abstract.alternative | Ensemble Monte Carlo simulation of current density fluctuations in submicron silicon diode with n+-n-n+ structure has been performed. The influence of impact ionization process on the noise characteristics of the device has been studied. | ru_RU |
