Поиск по всему репозиторию:
Определение температуры кристаллов InGaN-светодиодов в матрице с высокой плотностью мощности излучения

Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
2015Издательство
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН БеларусиБиблиографическое описание
Определение температуры кристаллов InGaN-светодиодов в матрице с высокой плотностью мощности излучения = Determination of crystal temperature of InGaN leds in matrix with high emission power density / A. В. Данильчик, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, П. В. Шпак, Е. В. Лебедок, В. В. Борушко [и др.]. – Текст : непосредственный // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе : сборник статей 10-го Белорусско-Российского семинара, Минск, 26–29 мая 2015 г. / Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси. – Минск, 2015. – С. 133–135. – Библиография: 6 назв.Аннотация
Разработаны и созданы матрицы светодиодов с высокой плотностью мощности излучения на основе миниатюрных светодиодов Rebel Z-серии с плотной посадкой на печатную плату с алюминиевым основанием. Плотность мощности излучения матрицы, состоящей из 33 излучающих в сине-зеленой области светодиодов, составляла ~18 Вт/см2 при постоянном токе инжекции 1 А. Создана модель, описывающая распределение тепла при работе матрицы в зависимости от подаваемой на светодиоды электрической мощности. Показано, что результаты моделирования соответствуют результатам измерений температуры матрицы.
Аннотация на другом языке
To create a matrix with high-density of radiation miniature light-emitting diodes (LEDs) Rebel Z-series was used with a tight fit on the printed aluminum circuit board. Matrix, consisting of 33 LEDs, emitting in the blue-green region of the spectrum, and radiation power density was about 18 W/cm2 at injection current of 1 A. A model describing the distribution of heat during operation of the matrix was created. It is shown that the results of measurements of the temperature of the matrix of LEDs using a thermal imager are consistent simulation results and measurements of the temperature of the p-n-junction LED performed by optical method.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/48539Документ расположен в коллекции

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.