Температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников CuIn3Sе5, CuGa3Sе5 и CuGa5Sе8

Abstract

Оптические свойства тройных полупроводниковых соединений CuIn3Sе5, CuGa3Sе5 и CuGa5Sе8 изучены достаточно слабо. Наличие прямых межзонных переходов с энергией от 1,0 эВ (для CuIn3Se5) до 1,9 эВ (для CuGa5Se8) при комнатной температуре делает эти материалы перспективными для создания на их основе ряда оптоэлектронных приборов. В настоящей работе рассмотрены результаты экспериментальных исследований оптического поглощения кристаллов CuIn3Se5, CuGa3Se5 и CuGa5Se8 при различных температурах. Температурные зависимости Eg типичны для сложных полупроводниковых соединений. Экспериментальные результаты обработаны при помощи пакета прикладных программ «Mathematica», по формулам, описывающим теоретическую модель Пэсслера.