| dc.contributor.author | Тарасюк, Николай Петрович | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
| dc.coverage.spatial | Брест | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-26T12:55:04Z | |
| dc.date.available | 2021-03-26T12:55:04Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.identifier.citation | Тарасюк, Н. П. Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках / Н. П. Тарасюк, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2004. – № 5. – С. 19–21. | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/12674 | |
| dc.description.abstract | Анализируются расчеты максимального фактора оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках, излучающих в синей и зеленой областях спектра. Расчеты проведены в приближении плоских волн для случая ТЕмод с использованием многослойной модели. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | БрГТУ | |
| dc.title | Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках | |
| dc.type | Статья (Article) | |
| dc.identifier.udc | 535.337 | |
