О механизме генерации неравновесных носителей при стримерном разряде в полупроводниках

Abstract

Проанализированы основные механизмы генерации неравновесных носителей в условиях стримерного разряда в рамках стационарной модели. Сравнение эффективности различных механизмов возбуждения носителей показывает, что вклад того или иного механизма существенно зависит от начальных условий. При значениях начальной концентрации электронов, оптимальных для возникновения разрядов, фотоионизация малоинерционным тормозным излучением электронно-дырочной плазмы в полупроводнике обеспечивает такой же темп генерации неравновесных носителей, как и при ударной ионизации или туннельном эффекте. Рассмотрены границы применимости результатов классической теории ударной ионизации (туннелирования) и показано, что соответствующий критерий выполняется в области электрических полей ≥ 10⁷ В/см.