| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | |
| dc.contributor.author | Буслюк, Виктор Вячеславович | |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2026-02-16T07:40:48Z | |
| dc.date.available | 2026-02-16T07:40:48Z | |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.identifier.citation | Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло флуктуаций тока стока в субмикронном МОП-транзисторе / О. Г. Жевняк, В. В. Буслюк, В. М. Борздов. – Текст : непосредственный // Электроника инфо. – 2013. – № 3. – С. 20–22 : ил. – Библиография: 12 назв. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/51077 | |
| dc.description.abstract | В статье проанализированы шумы, возникающие вследствие флуктуаций тока стока в канале субмикронных МОП-транзисторов, а также физические механизмы, их вызывающие. Сделан вывод о том, что основным механизмом таких шумов является ударная ионизация, осуществляемая разогревающимися электронами в канале МОП-транзистора. С помощью моделирования электронного переноса методом Монте-Карло исследованы флуктуации тока стока в тестовом МОП-транзисторе с длиной канала 0,25 мкм. При этом учет ударной ионизации осуществлялся по модели Келдыша с «жестким» и «мягким» порогами. Анализ результатов моделирования показал, что для исследуемого режима работы прибора модель «мягкого» порога дает лучшее совпадение средних значений тока стока с экспериментальными данными по сравнению с моделью «жесткого» порога. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Белэлектронконтракт | ru_RU |
| dc.title | Моделирование методом Монте-Карло флуктуаций тока стока в субмикронном МОП-транзисторе | ru_RU |
| dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 621.382.537.33:621.317 | ru_RU |
| dc.abstract.alternative | In this paper the noise caused by the drain current fluctuations in submicron MOSFETs is analyzed. The principal physical mechanisms of current fluctuations in such devices are considered. The conclusion that impact ionization produced by hot electrons in the transistor channel is key mechanism responsible for the noise is drawn. The current fluctuations are investigated by means of Monte-Carlo transport simulations of nMOSFETs with 0,25 mm channel length. Impact ionization process is simulated according to Keldysh model with «hard» and «soft» thresholds. Simulations show that for the considered transistor operation modes the «soft» threshold model gives the results which coincide better with experimental data on average values of the drain current. | ru_RU |
