| dc.contributor.author | Данильчик, A. В. | |
| dc.contributor.author | Войнилович, А. Г. | |
| dc.contributor.author | Ржеуцкий, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Шпак, П. В. | |
| dc.contributor.author | Лебедок, Е. В. | |
| dc.contributor.author | Борушко, Вадим Васильевич | |
| dc.contributor.author | Трофимов, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Цвирко, В. И. | |
| dc.contributor.author | Луценко, Е. В. | |
| dc.contributor.author | Яблонский, Геннадий Петрович | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2025-06-10T13:05:57Z | |
| dc.date.available | 2025-06-10T13:05:57Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.identifier.citation | Определение температуры кристаллов InGaN-светодиодов в матрице с высокой плотностью мощности излучения = Determination of crystal temperature of InGaN leds in matrix with high emission power density / A. В. Данильчик, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, П. В. Шпак, Е. В. Лебедок, В. В. Борушко [и др.]. – Текст : непосредственный // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе : сборник статей 10-го Белорусско-Российского семинара, Минск, 26–29 мая 2015 г. / Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси. – Минск, 2015. – С. 133–135. – Библиография: 6 назв. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/48539 | |
| dc.description | Danilchik, A. V.; Voynilovich, A. G.; Rzheutsky, N. V.; Shpak, P. V.; Lebedok, E. V.; Borushko, Vadim Vasilievich; Trofimov, Yu. V.; Tsvirko, V. I.; Lutsenko, E. V.; Yablonsky, Gennady Petrovich. Determination of the Temperature of InGaN LED Crystals in a Matrix with High Radiation Power Density | ru_RU |
| dc.description.abstract | Разработаны и созданы матрицы светодиодов с высокой плотностью мощности излучения на основе миниатюрных светодиодов Rebel Z-серии с плотной посадкой на печатную плату с алюминиевым основанием. Плотность мощности излучения матрицы, состоящей из 33 излучающих в сине-зеленой области светодиодов, составляла ~18 Вт/см2 при постоянном токе инжекции 1 А. Создана модель, описывающая распределение тепла при работе матрицы в зависимости от подаваемой на светодиоды электрической мощности. Показано, что результаты моделирования соответствуют результатам измерений температуры матрицы. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси | ru_RU |
| dc.title | Определение температуры кристаллов InGaN-светодиодов в матрице с высокой плотностью мощности излучения | ru_RU |
| dc.type | Научный доклад (Working Paper) | ru_RU |
| dc.abstract.alternative | To create a matrix with high-density of radiation miniature light-emitting diodes (LEDs) Rebel Z-series was used with a tight fit on the printed aluminum circuit board. Matrix, consisting of 33 LEDs, emitting in the blue-green region of the spectrum, and radiation power density was about 18 W/cm2 at injection current of 1 A. A model describing the distribution of heat during operation of the matrix was created. It is shown that the results of measurements of the temperature of the matrix of LEDs using a thermal imager are consistent simulation results and measurements of the temperature of the p-n-junction LED performed by optical method. | ru_RU |
