Поиск по всему репозиторию:

Показать краткое описание

dc.contributor.authorЧугунов, Сергей Владимирович
dc.contributor.authorЧугунова, Элеонора Валерьевна
dc.contributor.authorЧугунов, Андрей Сергеевич
dc.coverage.spatialБрестru_RU
dc.date.accessioned2024-06-26T08:11:52Z
dc.date.available2024-06-26T08:11:52Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationЧугунов, С. В. Моделирование концентрации электронов в HEMT-транзисторах / С. В. Чугунов, Э. В. Чугунова, А. С. Чугунов // Математические и физические методы исследований: научный и методический аспекты : сборник тезисов докладов Республиканской научно-практической конференции, Брест, 25−26 апреля 2019 г. / Брестский государственный университет имени А. С. Пушкина ; под общ. ред. Н. Н. Сендера. − Брест : БрГУ им. А. С. Пушкина, 2019. – С. 7.ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/43903
dc.descriptionChugunov Sergey Vladimirovich, Chugunova Eleonora Valeryevna, Chugunov Andrey Sergeevich. Modeling of electron concentration in HEMT transistorsru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБрГУ им. А. С. Пушкинаru_RU
dc.subjectконцентрация носителейru_RU
dc.subjectcarrier concentrationru_RU
dc.titleМоделирование концентрации электронов в HEMT-транзисторахru_RU
dc.typeТезисы доклада (Abstracts)ru_RU


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать краткое описание