| dc.contributor.author | Чугунов, Сергей Владимирович | |
| dc.contributor.author | Чугунова, Элеонора Валерьевна | |
| dc.contributor.author | Чугунов, Андрей Сергеевич | |
| dc.coverage.spatial | Брест | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-11-30T12:30:59Z | |
| dc.date.available | 2023-11-30T12:30:59Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Чугунов, С. В. Моделирование концентрации электронов в HEMT-транзисторах / С. В. Чугунов, Э. В. Чугунова, А. С. Чугунов // Математические и физические методы исследований: научный и методический аспекты : материалы Республиканской научно-практической конференции, Брест, 25−26 апреля 2019 г. / Брестский государственный университет им. А. С. Пушкина ; под общ. ред. Н. Н. Сендера. − Брест : БрГУ, 2019. – С. 163–165. – Библиогр.: с. 165 (1 назв.). | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/37445 | |
| dc.description | Chugunov, Sergey Vladimirovich; Chugunova, Eleonora Valerievna; Chugunov, Andrey Sergeevich. Simulation of electron concentration in NMT transistors | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГУ им. А. С. Пушкина | ru_RU |
| dc.title | Моделирование концентрации электронов в HEMT-транзисторах | ru_RU |
| dc.type | Научный доклад (Working Paper) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 621.382 | ru_RU |
