Search

Show simple item record

dc.contributor.authorТарасюк, Николай Петрович
dc.contributor.authorГладыщук, Анатолий Антонович
dc.coverage.spatialБрест
dc.date.accessioned2021-03-26T12:55:04Z
dc.date.available2021-03-26T12:55:04Z
dc.date.issued2004
dc.identifier.citationТарасюк, Н. П. Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках / Н. П. Тарасюк, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2004. – № 5. – С. 19–21.
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/12674
dc.description.abstractАнализируются расчеты максимального фактора оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках, излучающих в синей и зеленой областях спектра. Расчеты проведены в приближении плоских волн для случая ТЕмод с использованием многослойной модели.
dc.language.isoru
dc.publisherБрГТУ
dc.titleФактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках
dc.typeСтатья (Article)
dc.identifier.udc535.337


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record