2004
https://rep.bstu.by/handle/data/6317
2024-03-28T13:14:21ZКлассическая редукция струнной томографии для сферически-симметричного гравитационного поля в нерелятивистском пределе
https://rep.bstu.by/handle/data/12675
Классическая редукция струнной томографии для сферически-симметричного гравитационного поля в нерелятивистском пределе
Кандилян, Генрик Сережаевич; Прокопеня, Александр Николаевич; Чопчиц, Николай Игнатьевич
Рассматривается постановка задачи неквантовой редукции струнной томографии в случае сферически-симметричного гравитационного поля в нерелятивистском пределе. Получены уравнения движения для незамкнутой струны без внутренних степеней свободы.
2004-01-01T00:00:00ZО математической и компьютерной подготовке студентов
https://rep.bstu.by/handle/data/12672
О математической и компьютерной подготовке студентов
Афонин, Владимир Гаврилович
Предлагается внести определенные изменения в преподавание математических и компьютерных дисциплин, усилив их прикладную и вычислительную направленность. Особое внимание предлагается уделить исследованию математических моделей, проверке получаемых результатов и изучению современных систем компьютерной математики (СКМ). Для разных категорий обучаемых – от школьников до студентов самых разных специальностей – предлагается проводить обучение основам программирования на базе VBA+Excel200x.
2004-01-01T00:00:00ZФактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках
https://rep.bstu.by/handle/data/12674
Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках
Тарасюк, Николай Петрович; Гладыщук, Анатолий Антонович
Анализируются расчеты максимального фактора оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках, излучающих в синей и зеленой областях спектра. Расчеты проведены в приближении плоских волн для случая ТЕмод с использованием многослойной модели.
2004-01-01T00:00:00ZО динамике стримерного разряда в полупроводниках
https://rep.bstu.by/handle/data/12673
О динамике стримерного разряда в полупроводниках
Паращук, Валентин Владимирович; Русаков, Константин Иванович
Численно промоделирована пространственно-временная динамика электрон-фотонной системы в сильном электрическом поле с учетом процессов ударной (туннельной, фото-) ионизации, спонтанной и стимулированной рекомбинации в условиях, близких к условиям стримерного разряда. Показано, что в данной системе возможно существование различных автоколебательных режимов, включая пространственно-неоднородные диссипативные структуры. В режиме периодических колебаний (регулярных пульсаций) обеспечиваются оптимальные условия возбуждения стримеров, а излучательный процесс вносит определяющий вклад в механизм генерации неравновесных носителей. Автоколебательный режим или режим регулярных пульсаций обуславливает малую длительность генерируемых СВЧ-импульсов тока (в пикосекундном диапазоне) и уменьшает роль тепловых эффектов в формировании стримерного разряда. Стримерам присущи при определенных условиях свойства диссипативных и консервативных структур, носящих характер автоволновых процессов.
2004-01-01T00:00:00Z