Поиск по всему репозиторию:

Просмотр по автору "Шпак, П. В."

Отображаемые элементы 1-1 из 1

    • Определение температуры кристаллов InGaN-светодиодов в матрице с высокой плотностью мощности излучения 

      Данильчик, A. В.; Войнилович, А. Г.; Ржеуцкий, Н. В.; Шпак, П. В.; Лебедок, Е. В.; Борушко, Вадим Васильевич; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Геннадий Петрович (Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015)
      Разработаны и созданы матрицы светодиодов с высокой плотностью мощности излучения на основе миниатюрных светодиодов Rebel Z-серии с плотной посадкой на печатную плату с алюминиевым основанием. Плотность мощности излучения матрицы, состоящей из 33 излучающих в сине-зеленой области светодиодов, составляла ...

      2025-06-10